Zona de saturación:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCEsat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.
Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en RC será mínima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
Zona activa:
Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con unos valores intermedios tanto de IC como de VCE.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las comunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las comunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.
